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 　　了解碳化硅的朋友一定都知道，使用商業(yè)碳化硅爐有時(shí)可以生長出大的半導(dǎo)體碳化硅晶體。然后最近以實(shí)驗(yàn)室規(guī)模成功地合成了這種晶體材料。生長在石墨坩堝內(nèi)部的空心圓柱體中的碳化硅晶片是在碳管爐內(nèi)加熱到2500℃以上制成的，溫度的安排是要使得碳化硅圓柱體的中心溫度較外部為低。向里面擴(kuò)散的碳化硅蒸汽因而變得過飽和，并且在圓柱體的中心冷凝下來形成單晶體。可以在工作氣筑中引入某種雜質(zhì)以改變生長的晶體的成分。