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集成電路建立在一塊碳化硅上，并且由一些石墨烯場效應(yīng)晶體管組成。去年，IBM公司托馬斯?沃森研究中心科學(xué)家林育明領(lǐng)導(dǎo)的團隊展示了首塊基于石墨烯的晶體管，其能在100G赫茲的頻率上運行，但這次，該團隊將其整合進一塊完整的集成電路中。

　　多個科研團隊在研制石墨烯晶體管和接收器中遇到了幾大障礙：首先，石墨烯這種纖薄的單原子層薄片很難同制造芯片所用的金屬和合金匹配到一起。另外，在蝕刻過程中，石墨烯很容易受損。

　　林育明團隊找到了一種新方法――通過在一塊碳化硅晶圓的硅面上種植石墨烯，清除了這些障礙。接著，他們將石墨烯包裹進一個聚合物內(nèi)，進行必須的蝕刻過程，隨后再用一些丙酮將這些聚合物清除。

　　研究人員表示，該晶體管門的長度僅為550納米，整個集成電路僅為一顆鹽粒那么大。而且，這種生產(chǎn)過程也可用于其他類型的石墨烯材料，包括將化學(xué)氣相淀積（CVD）石墨烯膜合成在金屬膜之上，也可用于光學(xué)光刻以改善成本和產(chǎn)能。

　　按照美國電氣與電子工程師學(xué)會（IEEE）出版的《IEEE波普》雜志的解釋，這塊集成電路是一個寬頻無線電頻率混頻器――無線電收音機的關(guān)鍵組件，該集成電路通過找出兩個輸入頻率的和與差來輸出新的無線電信號。科學(xué)家們表示，最新的石墨烯集成電路混頻最多可達(dá)10G赫茲，而且其可以承受125攝氏度的高溫。

　　該研究團隊認(rèn)為，這塊集成電路還可以運行得更快，屆時，由這類集成電路制成的芯片可以改進手機和無線電收發(fā)兩用機的信號，未來，手機或許能在一般認(rèn)為無法接收信號的地方工作。

　　石墨烯場效應(yīng)晶體管替代硅可能還需要一段時間，IBM公司的科學(xué)家下一步將繼續(xù)改進這種集成電路的性能，其中包括使用對石墨烯導(dǎo)電性不會造成損害的各種不同金屬。